我国新型电力电子关键器件之一的场截止沟槽型大功率半导体（IGBT）产业化项目，于今年8月落户佛山高新区。由佛山市技术创新协会引进的该项目海归博士创业团队，抓住佛山产业升级的机遇，创立了佛山芯光半导体有限公司。该企业11月入驻位于佛山罗村的芯光源孵化器基地，将以其技术优势研发生产工业用、家电用等领域的IGBT芯片，面向高端客户提供性价比高的产品，促进佛山产业结构调整优化，建立现代电力电子器件的研发生产基地，振兴我国装备制造业。

何志博士（左）在介绍他的产品和技术

　　列入国家重点发展的IGBT场控器件，是现代电力电子产业的“心脏”，能推动大量的相关电子产品的发展。通过运用高频电力电子技术，可以大幅度提高电能源的使用效率，节约20%~40%的电能源和90%以上的相关原材料。IGBT器件因其性能优越，控制方便等优点，在众多领域获得广泛应用。尤其在解决电力灾害、改善电能质量、航空航天电源、通信和计算机电源、不间断电源、高频化焊接电源和X光电源、感应加热电源、超声电源、汽车电子化、智能家用电器、绿色照明工程的实施、交流电机变频调速和电动汽车、洁净发电以及传统电力电子设备的高频化改造等方面，都发挥极其重要的作用。

　　佛山通过引进海归IGBT核心团队，涉足大功率半导体器件产业，加速新一代半导体材料和器件工艺技术的研发，培育集成电路产业竞争优势，建立关键器件研发生产基地。由于IGBT技术长期受制于人，目前国内所需高质量IGBT器件主要依靠进口。佛山芯光半导体公司从事的国内领先的超薄片场截止沟槽型IGBT器件开发，将对900V系列、1200V系列和1700V系列的家电、工业和风能新能源三个类别IGBT产品进行产业化，完善佛山的产业配套。佛山大功率半导体产业的培育与发展，有助于打破国外的技术封锁，满足国内急剧升温的需求，提高我国电力电子产品在国际市场上的竞争力。